技术文章

可控硅基础知识


单向可控硅为什么叫做“SCR”?有两种命名可以解释:
首先,我们看看有关半导体相关的名词:
半导体:Semiconductor
 制:Controlled
整流器:Rectifier

以上三组英文单词的**个英文字母分别为:SCR
组合成“SCR”,中文译意为:半导体控制整流器。

又:
半导体是硅晶元的代名,
硅:Silicon
控制 Controlled
整流器:Rectifier

这三组英文单词的**个英文字母也组合成:“SCR”
中文译意为:硅可控整流器。

因此,硅可控整流器、也有人叫做 可控硅整流器。
也就是我们平常所说的可控硅了。

“SCR”是单向可控硅的统称。
在这个命名前提下,各个生产商有其自己产品命名方式:
*早的MOTOROLA公司取**个字母“M”代表其公司,“CR”代表单向,因而组合成单向可控硅“MCR”的**代命名,代表型号:MCR100-6MCR100-8
日本三菱公司(现瑞萨科技)在单向可控硅器件命名上,
则去掉了“SCR”的**个字母“S”,以“CR”直接命名,
代表型号:CR02AMCR03AM等等。
资料编辑:《可控硅在线》

 
 

 

 
 

 

 
 

双向可控硅为什么称为“TRIAC”

三端:TRIode(取前三个字母)
交流半导体开关:ACsemiconductor switch(取前两个字母)
以上两组名词组合成“TRIAC”
中文译意三端双向可控硅开关
由此可见:TRIAC是双向可控硅的统称。

  向:Bi-directional(取**个字母)
  制:Controlled(取**个字母)
整流器:Rectifier(取**个字母)

再由这三组英文名词的靠前字母组合而成:“BCR”,中文译意:双向可控硅。
“BCR”来命名双向可控硅的典型厂家 日本三菱,如:BCR1AM-12BCR8KMBCR08AM等等。

  向:Bi-directional(取**个字母)
  端:TRIode(取**个字母)
由以上两组单词组合成“BT”,也是对双向可控硅的产品命名。
意法ST公司、荷兰飞利浦公司,均以此来命名双向可控硅.
如:PHILIPSBT134-600EBT139-600E等。
ST意法,则在“BT”后加“A”“B”来表示绝缘与非绝缘。
组成:“BTA”“BTB”系列的双向可控硅型号命名,
代表型号如:BTA16-600BBTB12-600C等等。
资料编辑:《中国可控硅》市场资讯部 

 

 

 
 
为什么要在晶闸管两端并联阻容网络

  在实际晶闸管电路中,常在其两端并联RC串联网络,该网络常称为RC阻容吸收电路。

  我们知道,晶闸管有一个重要特性参数-断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管在额定结温和门极断路条件下,使晶闸管从断态转入通态的*低电压上升率。若电压上升率过大,超过了晶闸管的电压上升率的值,则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管的正向电压低于其阳极峰值电压,也可能发生这种情况。因为晶闸管可以看作是由三个PN结组成。

  在晶闸管处于阻断状态下,因各层相距很近,其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管阳极电压变化时,便会有充电电流流过电容C0,并通过J3结,这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管在关断时,阳极电压上升速度太快,则C0的充电电流越大,就有可能造成门极在没有触发信号的情况下,晶闸管误导通现象,即常说的硬开通,这是不允许的。因此,对加到晶闸管上的阳极电压上升率应有一定的限制。

  为了限制电路电压上升率过大,确保晶闸管安全运行,常在晶闸管两端并联RC阻容吸收网络,利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感),所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用,它可以防止R、L、C电路在过渡过程中,因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管。同时,避免电容器通过晶闸管放电电流过大,造成过电流而损坏晶闸管。

  由于晶闸管过流过压能力很差,如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。v

 
上一页123456...13下一页
上一页下一页
上海霖叶微电子有限公司    电话:021-64788392    传真:021-64788625    邮编:201101
地址:上海市中春路8888弄47号