单向可控硅为什么叫做“SCR”？有两种命名可以解释:
首先，我们看看有关半导体相关的名词：
半导体：Semiconductor，
控 制：Controlled，
整流器：Rectifier
以上三组英文单词的**个英文字母分别为：S、C、R，
组合成“SCR”，中文译意为：半导体控制整流器。
又：
半导体是硅晶元的代名，
硅：Silicon，
控制 ：Controlled，
整流器：Rectifier。
这三组英文单词的**个英文字母也组合成：“SCR”，
中文译意为：硅可控整流器。
因此，硅可控整流器、也有人叫做 可控硅整流器。
也就是我们平常所说的“可控硅”了。
“SCR”是单向可控硅的统称。
在这个命名前提下，各个生产商有其自己产品命名方式：
*早的MOTOROLA公司取**个字母“M”代表其公司，“CR”代表单向，因而组合成单向可控硅“MCR”的**代命名，代表型号：MCR100-6、MCR100-8。
日本三菱公司（现瑞萨科技）在单向可控硅器件命名上，
则去掉了“SCR”的**个字母“S”，以“CR”直接命名，
代表型号：CR02AM、CR03AM等等。
资料编辑：《可控硅在线》
双向可控硅为什么称为“TRIAC”？
三端：TRIode（取前三个字母）
交流半导体开关：ACsemiconductor switch（取前两个字母）
以上两组名词组合成“TRIAC”，
中文译意“三端双向可控硅开关”。
由此可见：TRIAC是双向可控硅的统称。
双 向：Bi-directional（取**个字母）
控 制：Controlled（取**个字母）
整流器：Rectifier（取**个字母）
再由这三组英文名词的头个字母组合而成：“BCR”，中文译意：双向可控硅。
以“BCR”来命名双向可控硅的典型厂家 日本三菱，如：BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。
双 向：Bi-directional（取**个字母）
三 端：TRIode（取**个字母）
由以上两组单词组合成“BT”，也是对双向可控硅的产品命名。
意法ST公司、荷兰飞利浦公司，均以此来命名双向可控硅.
如：PHILIPS的BT134-600E、BT139-600E等。
而ST意法，则在“BT”后加“A”、“B”来表示绝缘与非绝缘。
组成：“BTA”、“BTB”系列的双向可控硅型号命名，
代表型号如：BTA16-600B、BTB12-600C等等。
资料编辑：《中国可控硅》市场资讯部
为什么要在晶闸管两端并联阻容网络
在实际晶闸管电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。
我们知道，晶闸管有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管从断态转入通态的*低电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管可以看作是由三个PN结组成。
在晶闸管处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管上的阳极电压上升率应有一定的限制。
为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管**运行，常在晶闸管两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管。同时，避免电容器通过晶闸管放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管。
由于晶闸管过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。v