IR新型150V高侧驱动器AUIRS2016S适于汽车应用

AUIRS2016S是一款高电压功率MOSFET高侧驱动器，具有内部电压尖峰对地 (Vs-to-GND) 充电NMOS。这款器件的输出驱动器配备一个250mA高脉冲电流缓冲级。相关沟道能够在高侧配置中驱动一个N沟道功率MOSFET，可在高于地电压达150V的条件下工作。AUIRS2016S还可提供负电压尖峰**性(-Vs) ，防止系统在大电流切换和短路情况下发生灾难性事件。

AUIRS2016S符合AEC-Q100标准，并可提供5V兼容逻辑电平输入、高侧输出和内部低侧Vs充电，CMOS施密特触发器可以利用上拉电阻反相输入，并以下拉电阻对CMOS施密特触发器进行反相复位。

新器件采用IR先进的高压IC技术，融合了新一代高压电平转换和端接技术，能够提供**的电气过应力保护和更高的现场可靠性。

AUIRS2016S现已开始接受批量订单。这款适用于汽车的新器件不含铅，也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。